低功耗32位RISC核芯，高度优化的2级流水线
8K 字节 SRAM
8K 字节 ROM
64K 字节 EFLASH
4096 字节/页
最少擦除次数 1 万次
| 序号 | 密钥对生成 | 解密/签名 | 加密/验签 |
|---|---|---|---|
| 1024bit RSA | 640ms/次 | 18ms/次 | 1.4s/次 |
| 2048bit RSA | 7.4s/次 | 120ms/次 | 4.6s/次 |
| 256bit SM2 | 16ms/次 | 16ms/次 | 30ms/次 |
| 序号 | 解密 | 加密 |
|---|---|---|
| DES | 10.1MB/S | 10.1MB/S |
| 3DES | 4.1MB/S | 4.1MB/S |
| AES 256bit | 3.4MB/S | 3.4MB/S |
| SM4 256bit | 3.1MB/S | 3.1MB/S |
最大可支持7个
支持外部中断输入
支持边沿触发（上升沿、下降沿）
支持高速SPI
支持Master/Slave模式
支持DMA模式
通信速率7000bps
仅支持Slave模式，支持单线与主机完成半双工通讯
支持自供电模式
支持7bit、10bit地址模式
支持Master/Slave模式
支持标准模式、快速模式、高速模式
兼容IIC 2.1总线标准
支持全双工
GPIO复用
支持ISO 7816-3协议
支持卡、读卡器模式
GPIO复用
8K字节SRAM
8K字节ROM
64K字节EFLASH(4096字节/页)
DMA/EDMA模块
2个定时器（PIT）模块
看门狗（WDT）模块
计时器（TC）模块
电源电压1.62V-5.5V
最大功耗10mA@30MHz，
LowPower 模式:20uA，Hibernation 模式:200nA
HBM：6KV
CDM：500V
LATCH UP：200mA
内部上电复位
外部上电复位
每颗芯片具备唯一序列号
